Power Integrations新型GaN电源IC无需散热器即可提供高达85瓦的功率
发布时间:2023-11-15 00:00:00

  Power Integrations 发布了反激式开关电源 (SMPS) 集成电路系列的最新成员。InnoSwitch3-EP 1,250-V 芯片采用氮化镓 (GaN),最大输入电压达 1,250 V,效率高达 93%。

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  基于传统硅 (Si) MOSFET 的 SMPS 通常最高效率为 90%。虽然 90% 到 93% 的效率似乎并不是一个显着的增益,但它可以将损失减少三分之一。损耗的任何减少都是显着的,因为这些损耗决定了对昂贵的冷却、散热和整体电源尺寸的需求。


  当用作主开关晶体管时,新型高压PowiGaN开关提高了开关频率,这意味着更小的无源元件。


  GaN 具有更高的耐热性和更低的电阻引起的热损失,这两者都减少了对散热的需求。InnoSwitch3 -EP链接数据表还将初级侧和次级侧控制器组合在同一芯片中,以减少总体部件数量。


  在InnoSwitch3芯片中,原边和副边在内部进行通信。最终结果是更小、更高效的电源。


  除了新的 IC 系列之外,Power Integrations 还发布了具有 60W 连续输出功率和 12V 宽输入范围 (90–480V) 的交流电源参考设计。该参考设计包括完整的规格、物料清单 (BOM)、原理图、两层印刷电路板 (PCB) 布局以及详细的变压器绕组说明。电源板尺寸为 1.80” x 4.24”。


  该设计包附带 InnoSwitch3 IC 的测试和评估数据、设计说明以及操作说明。最令人印象深刻的是变压器构造的完整文档,包括接线图、剖视图和一整套过程中的照片。


  对于完全定制的设计,Power Integrations 还提供PI Expert,一种在线电源开发工具。PI Expert 快速启动了新型 GaN 器件和硅基芯片的电源设计流程。


  理想的晶体管开关只需通过栅极上的电流或电压来打开或关闭电流,而不会产生任何损耗。然而,在现实世界中,晶体管具有称为导通状态漏源电阻 (R DS(on) ) 的阻抗,在导通时会吸收电流。开关关闭时会收集电容电荷 (C oss )。当设备开启时,电容就会放电。在传统 MOSFET 中,随着硅芯片尺寸的增大,R DS(on)下降,而 C oss上升。这些适得其反的特性最终限制了硅 MOSFET 的效率。


  GaN 具有较低的 R DS(on) 和较低的 C oss,从而提高效率、减少热量并提高开关频率。最终结果是相同尺寸的功能更强大的电力系统,或者尺寸更小、更轻、功能相当的系统。



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